IRF6611 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRF6611
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):32A(Ta),150A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 27A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):56nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4860pF @ 15V
- 功率 - 最大值:3.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 MX
- 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MX
- IRF6611優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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