產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-220AB
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
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IRF640N 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF640N
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 11A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：67nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1160pF @ 25V
- 功率 - 最大值：150W
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
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