IRF5305S 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRF5305S
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):55V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):31A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):60 毫歐 @ 16A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):63nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1200pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
- IRF5305S優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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