- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:場效應管陣列,8-SO
- 技術參數:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- 豐富的IR公司產品,IR芯片采購平臺
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AUIRF7379QTR 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:AUIRF7379QTR
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 類型:N 和 P 溝道
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5.8A,4.3A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.8A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):520pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SO
- AUIRF7379QTR優勢代理貨源,國內領先的IR芯片采購服務平臺。