產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：GeneSiC
- 類別封裝：二極管 - 整流器 - 陣列，封裝：三塔
- 技術(shù)參數(shù)：DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
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MURTA20060R 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MURTA20060R
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
- 系列：二極管 - 整流器 - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 二極管配置：1 對共陽極
- 二極管類型：標準
- 電壓-DC反向(Vr)（最大值）：600V
- 電流-平均整流(Io)（每二極管）：100A
- 不同If時電壓-正向(Vf)：1.7V @ 100A
- 速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢復時間(trr)：-
- 不同Vr時電流-反向泄漏：25μA @ 600V
- 工作溫度-結(jié)：-55°C ~ 150°C
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：三塔
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