
- 制造廠商:GeneSiC
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-258
- 技術(shù)參數(shù):TRANS SJT 600V 100A TO258
- 豐富的GeneSiC公司產(chǎn)品,GeneSiC芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格

GA50JT06-258 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:GA50JT06-258
- 制造商:GeneSiC Semiconductor
- 描述:TRANS SJT 600V 100A TO258
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:-
- 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
- 漏源電壓(Vdss):600V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):100A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):25 毫歐 @ 50A
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):769W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:TO-258
- GA50JT06-258優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的GeneSiC芯片采購服務(wù)平臺。

芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)GeneSiC代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺