
- 制造廠商:仙童
- 類別封裝:場效應管陣列,8-SOIC
- 技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
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FDS6911 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產品型號:FDS6911
- 制造商:Fairchild 仙童半導體(已被ONSEMI安森美收購)
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench
- FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.5A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):13 毫歐 @ 7.5A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):24nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1130pF @ 15V
- 功率 - 最大值:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SOIC N
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