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- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，3-SSOT
- 技術參數：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
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FDN306P 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDN306P
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動
- 漏源極電壓 (Vdss)：12V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 2.6A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1138pF @ 6V
- 功率 - 最大值：460mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：3-SSOT
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