
- 制造廠商:仙童
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,6-MicroFET
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
- 豐富的仙童公司產(chǎn)品,仙童芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格

FDMA410NZ 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):FDMA410NZ
- 制造商:Fairchild 仙童半導(dǎo)體(已被ONSEMI安森美收購)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
- 系列:PowerTrench
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源極電壓 (Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):9.5A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 9.5A,4.5V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):14nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1080pF @ 10V
- 功率 - 最大值:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:6-WDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:6-MicroFET(2x2)
- FDMA410NZ優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購服務(wù)平臺(tái)。

芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Fairchild代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)