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- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，TO-252
- 技術參數：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
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FDD10N20LZTM 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDD10N20LZTM
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
- 系列：UniFET?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7.6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 3.8A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：585pF @ 25V
- 功率 - 最大值：56W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
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