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- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：場效應管陣列，6-SSOT
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
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FDC6561AN 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDC6561AN
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.5A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：95 毫歐 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.2nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：220pF @ 15V
- 功率 - 最大值：700mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
- 供應商器件封裝：6-SSOT
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