產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
- 豐富的仙童公司產(chǎn)品，仙童芯片采購(gòu)平臺(tái)
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FDB10AN06A0 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDB10AN06A0
- 制造商：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ONSEMI安森美收購(gòu)）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：12A（Ta），75A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：10.5 毫歐 @ 75A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：37nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1840pF @ 25V
- 功率 - 最大值：135W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB
- FDB10AN06A0優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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