產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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ZXMN3A06DN8TA 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：ZXMN3A06DN8TA
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4.9A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 9A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.5nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：796pF @ 25V
- 功率-最大值：1.8W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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