產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
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ZXMC3F31DN8TA 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：ZXMC3F31DN8TA
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.8A，4.9A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 7A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.9nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：608pF @ 15V
- 功率-最大值：1.8W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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