- 制造廠商:Diodes(美臺)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
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ZXM61P03FTA 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:ZXM61P03FTA
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導(dǎo)體)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:P 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):1.1A(Ta)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):350 毫歐 @ 600mA,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):4.8nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):140pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:SOT-23-3
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