- 制造廠商:Diodes(美臺(tái))
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:E-Line(TO-92 兼容)
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品,Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
ZVN3310ASTOA 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):ZVN3310ASTOA
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):200mA(Ta)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):10 歐姆 @ 500mA,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:E-Line(TO-92 兼容)
- ZVN3310ASTOA優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)