產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
DMT47M2LDV-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMT47M2LDV-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：11.9A（Ta），30.2A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10.8 毫歐 @ 20A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：891pF @ 20V
- 功率-最大值：2.34W（Ta），14.8W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
- DMT47M2LDV-7優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺