- 制造廠商:Diodes(美臺(tái))
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-VDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品,Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
DMT3009LDT-7 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):DMT3009LDT-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型
- FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):30A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.1 毫歐 @ 14.4A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 15V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V
- 功率-最大值:1.2W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-VDFN
- DMT3009LDT-7優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)