產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：X2-DFN2020-6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
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DMT12H090LFDF4-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMT12H090LFDF4-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：115V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 3.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：251pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：X2-DFN2020-6
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