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Diodes
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DMT12H090LFDF4-13 圖片
  • 制造廠商:Diodes(美臺)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:X2-DFN2020-6
  • 技術參數:MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
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DMT12H090LFDF4-13 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:DMT12H090LFDF4-13
  • 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
  • 描述:MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):115V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):3.4A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):90 毫歐 @ 3.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):251pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):900mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:X2-DFN2020-6
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