- 制造廠商:Diodes(美臺(tái))
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:PowerDI3333-8
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品,Diodes芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
DMP2005UFG-7 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):DMP2005UFG-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 描述:MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:P 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):89A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 15A,4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V
- Vgs(最大值):±10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):4670pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:PowerDI3333-8
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