產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：Diodes（美臺(tái)）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
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DMN61D8LVTQ-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMN61D8LVTQ-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門(mén)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：630mA
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.8 歐姆 @ 150mA，5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12V
- 功率-最大值：820mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- DMN61D8LVTQ-13優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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