產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
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DMN2022UNS-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMN2022UNS-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10.7A（Ta）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.8 毫歐 @ 4A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20.3nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1870pF @ 10V
- 功率-最大值：1.2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
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