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Diodes
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DMN1019UFDE-7 圖片
  • 制造廠商:Diodes(美臺)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:U-DFN2020-6(E 類)
  • 技術參數:MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
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DMN1019UFDE-7 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:DMN1019UFDE-7
  • 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
  • 描述:MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):11A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):10 毫歐 @ 9.7A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):50.6nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2425pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):690mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:U-DFN2020-6(E 類)
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