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- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：單端場效應管，SC-59-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
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DMN100-7 技術參數詳情：
- Diodes公司完整型號：DMN100-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：240 毫歐 @ 1A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.5nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：150pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：SC-59-3
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