- 制造廠商:Diodes(美臺)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-VFDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品,Diodes芯片采購平臺
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DMG5802LFX-7 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:DMG5802LFX-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導(dǎo)體)
- 描述:MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):24V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6.5A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):15 毫歐 @ 6.5A,4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):31.3nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1066.4pF @ 15V
- 功率-最大值:980mW
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-VFDFN
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