
- 制造廠商:Central
- 類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè),封裝:模具
- 技術(shù)參數(shù):POWER TRANSISTOR NPN DIE
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CP307-2N5308-WN 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:CP307-2N5308-WN
- 制造商:Central Semiconductor Corp
- 描述:POWER TRANSISTOR NPN DIE
- 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓
- 電流-集電極(Ic)(最大值):300mA
- 電壓-集射極擊穿(最大值):40V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):1.4V @ 200μA,200mA
- 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V
- 功率-最大值:625mW
- 頻率-躍遷:60MHz
- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:模具
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