產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ALD
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
- 豐富的ALD公司產(chǎn)品，ALD芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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ALD1110ESAL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：ALD1110ESAL
- 制造商：Advanced Linear Devices Inc.（ALD）
- 描述：MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：EPAD?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）配對(duì)
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：10V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：500 歐姆 @ 5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.01V @ 1μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2.5pF @ 5V
- 功率-最大值：600mW
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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